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參數(shù)資料
| 型號： | VVZB120-12IO2 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 中文描述： | 77 A, 1200 V, SCR |
| 封裝： | MODULE-11 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | VVZB120-12IO2 |
2009 IXYS All rights reserved
2 - 4
VVZB 120
20090618a
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
R, ID
V
R = VRRM/VDRM
0.3
mA
V
R = VRRM/VDRM; TVJ = 150°C
5
mA
V
F, VT
I
F = 100 A
1.47
V
V
T0
For power-loss calculations only
0.85
V
r
T
T
VJ = 150°C
5 m
Ω
V
GT
V
D
= 6 V;
T
VJ =
25°C
1.5
V
T
VJ = -40°C
1.6
V
I
GT
V
D
= 6 V;
T
VJ =
25°C
100
mA
T
VJ = -40°C
200
mA
V
GD
T
VJ
= T
VJM;VD =
2/
3 VDRM
0.2
V
I
GD
T
VJ
= T
VJM;VD =
2/
3 VDRM
10
mA
I
L
V
D = 6 V; tG = 30 s
450
mA
di
G/dt = 0.45 A/s; IG = 0.45 A
I
H
T
VJ
= T
VJM; VD = 6 V; RGK =
∞
200
mA
t
gd
V
D = VDRM
2s
di
G/dt = 0.45 A/s; IG = 0.45 A
t
q
T
VJ = TVJM; VR = 100 V; VD =
2/
3 VDRM; tP = 200 s
150
s
dv/dt = 10 V/s; I
T = 120 A; -di/dt = 10 A/s
Q
S
T
VJ = TVJM
90
C
I
RM
-di/dt = 0.64 A/s; I
T/IF = 50 A
11
A
R
thJC
per thyristor/diode; sine 120° el.
1 K/W
R
thJH
per thyristor/diode; sine 120° el.
1.3 K/W
V
BR(CES)
V
GS = 0 V; IC = 1 mA
1200
V
V
GE(th)
I
C = 4 mA
4.5
6.5
V
I
GES
V
GE
=
± 20 V
500
nA
I
CES
V
CE = VCES
0.2
mA
V
CE = VCES; TVJ = 125°C
1
mA
V
CEsat
V
GE = 15 V; IC = 50 A
2.1
V
t
SC
V
GE = 15 V; VCE = 900 V; TVJ = 125°C
10
s
(SCSOA)
R
G = 15
Ω; non repetitive
RBSOA
V
GE = 15 V; VCE = 1200 V; TVJ = 125°C
150
A
R
G = 15
Ω; Clamped Inductive load; L = 100 H
C
ies
V
CE = 25 V; f = 1 MHz; VGE = 0 V
5.7
nF
t
d(on)
170
ns
t
d(off)
680
ns
E
on
11
mJ
E
off
8mJ
R
thJC
0.22 K/W
R
thCH
0.1
K/W
IGBT
Rectifier
Bridge
V
CE = 600 V; IC = 50 A
V
GE = 15 V; RG = 15
Ω
Inductive load; L = 100 H
T
VJ = 125°C
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