參數(shù)資料
型號(hào): W3E16M64S-266BI
廠商: MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類: DRAM
英文描述: 16M X 64 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219
封裝: 21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219
文件頁(yè)數(shù): 10/16頁(yè)
文件大?。?/td> 406K
代理商: W3E16M64S-266BI
3
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
W3E16M64S-XBX
January 2008
Rev. 5
A0-12
BA0-1
CLK0#
CLK#
DQ0
DQ15
CKE0
CKE
CS0#
CS#
DQML0
DQML
DQMH0
DQMH
RAS1#
WE1#
CAS1#
DQ0
DQ15
U1
A0-12
BA0-1
CLK1#
CLK#
DQ16
DQ31
RAS0#
WE0#
CAS0#
DQ0
DQ15
U0
CKE1
CKE
CS1#
CS#
DQML1
DQML
DQMH1
DQMH
RAS2#
WE2#
CAS2#
DQ0
DQ15
U2
A0-12
BA0-1
CLK2#
CLK#
DQ32
DQ47
CKE2
CKE
CS2#
CS#
DQML2
DQML
DQMH2
DQMH
RAS3#
WE3#
CAS3#
DQ0
DQ15
WE#
U3
RAS#
A0-12
BA0-1
CLK3#
CLK#
CAS#
WE# RAS# CAS#
DQ48
DQ63
CKE3
CKE
CS3#
CS#
DQSL3
DQSL
DQSH3
DQSH
Y=
CLK3
CLK
VREF
DQSL2
DQSL
DQSH2
DQSH
VREF
DQSL1
DQSL
DQSH1
DQSH
VREF
DQSL0
DQSL
DQSH0
DQSH
VREF
CLK2
CLK
CLK1
CLK
CLK0
CLK
VREF
DQML3
DQML
DQMH3
DQMH
FIGURE 2 – FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W3E64M72S-200BI 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 0.8 ns, PBGA219
W3EG6467S262D4MG 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200
W7NCF02GH10IS2DG 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC
W7NCF02GH10ISBDG 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC
W7NCF04GH10CS8CM1G FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W3E16M64S-266BM 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk
W3E16M64S-333BC 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 333 MHZ, 219 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk
W3E16M64S-333BI 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 333 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk
W3E16M64S-333BM 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 333 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk
W3E16M64S-XBX 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR SDRAM MCP