型號(hào): | W3E16M64S-266BI |
廠商: | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 16M X 64 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
封裝: | 21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 |
文件頁(yè)數(shù): | 10/16頁(yè) |
文件大?。?/td> | 406K |
代理商: | W3E16M64S-266BI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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W3E64M72S-200BI | 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
W3EG6467S262D4MG | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
W7NCF02GH10IS2DG | 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
W7NCF02GH10ISBDG | 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
W7NCF04GH10CS8CM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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W3E16M64S-266BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
W3E16M64S-333BC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 333 MHZ, 219 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk |
W3E16M64S-333BI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 333 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk |
W3E16M64S-333BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 333 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
W3E16M64S-XBX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR SDRAM MCP |