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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W981216DH-75 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 27 -
Revision A08
Operating Timing Example, continued
14.6 Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Autoprecharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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15
16
17
18
19
20
21
22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tRRD
RAa
CAx
RBb
CBy
RAb
RAc
ax0
ax1
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by2
by3
by4
by5
by6
by7
CZ0
CZ1
CZ2
CAz
(CLK = 100 MHz)
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
Active
Write
Active
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
Active
Write
AP*
BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
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