參數(shù)資料
型號(hào)： WSF512K16X-39G2M
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CQMA68
封裝： 22 MM SQUARE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： WSF512K16X-39G2M
8
White Microelectronics Phoenix, AZ (602) 437-1520
11
MIXED
MODULES
FIG. 8
WRITE/ERASE/PROGRAM OPERATION, FLASH MEMORY FWE CONTROLLED
WSF512K16-XXX
NOTES:
1. PA is the address of the memory location
to be programmed.
2. PD is the data to be programmed at byte address.
3. D7 is the output of the complement of the
data written to the device.
4. DOUT is the output of the data written to
the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus
cycle sequence.
Addresses
FCS
OE
FWE
Data
5.0
V
5555H
PA
tWC
tCS
PD
D
7
D
OUT
tAH
tWPH
tDH
tDS
Data
Polling
tAS
tRC
tWP
A0H
tOE
tDF
tOH
tCE
tGHWL
tWHWH1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WSF512K16X-72H2C SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CPGA66
WPF1024K32-150PBI5 4M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, PBGA84
WS512K32N-120HIA 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, CPGA66
WS512K32N-120HQ 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, CPGA66
WS128K32L-25G1UI 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, CQFP68
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