參數(shù)資料
型號： X00602MA1AA2
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 0.8A SCRs
中文描述： 0.8A可控硅
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： X00602MA1AA2
X00602MA
4/5
Fig. 6:
Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode resistance (typical values).
Fig. 7:
Relative variation of dV/dt immunity
versus
gate-cathode
values).
capacitance
(typical
Fig. 8:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 9:
Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10 ms, and corresponding value of I2t.
Fig. 10:
On-state characteristics (maximum
values).
dV/dt[Rgk]/dV/dt[Rgk=1k ]
1E-2
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
Rgk(k )
dV/dt[Cgk]/dV/dt[Rgk=1k ]
Cgk(nF)
20
10
5
2
1
1
2
5
10
T
1
10
100
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ITSM(A)
Nonrepetitive
amb=25°C
Number of cycles
Onecycle
tp=10ms
0.01
0.10
1.00
10.00
0.1
1.0
10.0
100.0
ITSM(A),I
2
t(A
2
s)
Tj initial = 25°C
ITSM
I
2
t
tp(ms)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
ITM(A)
Tj max.:
Vto = 0.85V
Rd = 245m
Tj = Tjmax.
Tj = 25°C
VTM(V)
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