參數(shù)資料
型號(hào)： X00602MA5AL2
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 0.8A SCRs
中文描述： 0.8A可控硅
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 72K
代理商： X00602MA5AL2
X00602MA
3/5
Fig. 1:
Maximum average power dissipation
versus average on-state current.
Fig. 2-1:
Average and D.C. on-state current
versus lead temperature.
Fig. 2-2:
Average and D.C. on-state current
versus ambient temperature (device mounted on
FR4 with recommended pad layout).
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature.
Fig. 5:
Relative variation of holding current
versus gate-cathode resistance (typical values).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
P(W)
α
= 180°
IT(av)(A)
360°
α
0
25
50
75
100
125
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
IT(av)(A)
D.C.
α
= 180°
Tlead(°C)
0
25
50
75
100
125
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
IT(av)(A)
α
= 180°
D.C.
Tamb(°C)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.01
0.10
1.00
K = [Zth(j-a)/Rth(j-a)]
tp(s)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL[Tj = 25°C]
IH & IL
IGT
Tj(°C)
IH[Rgk]/IH[Rgk=1k ]
Rgk(k )
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
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PDF描述
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