參數(shù)資料
型號： X28HC256JZ-12
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
中文描述： 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PQCC32
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： X28HC256JZ-12
13
FN8108.1
May 17, 2006
Write Cycle Limits
Notes: (6) Typical values are for T
A
= 25°C and nominal supply voltage.
(7) t
WC
is the minimum cycle time to be allowed from the system perspective unless polling techniques are used. It is the maximum time
the device requires to automatically complete the internal write operation.
(8) t
WPH
and t
DW
are periodically sampled and not 100% tested.
WE Controlled Write Cycle
Symbol
t
WC(7)
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
t
OES
t
OEH
t
WP
t
WPH(8)
t
DV
t
DS
t
DH
t
DW(8)
t
BLC
Parameter
Min.
Typ.
(6)
3
Max.
5
Unit
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
ns
ns
μs
μs
Write cycle time
Address setup time
Address hold time
Write setup time
Write hold time
CE pulse width
OE HIGH setup time
OE HIGH hold time
WE pulse width
WE HIGH recovery (page write only)
Data valid
Data setup
Data hold
Delay to next write after polling is true
Byte load cycle
0
50
0
0
50
0
0
50
50
1
50
0
10
0.15
100
Address
t
AS
t
WC
t
AH
t
OES
t
DS
t
DH
t
OEH
CE
WE
OE
Data In
Data Out
HIGH Z
Data Valid
t
CS
t
CH
t
WP
X28HC256
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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X28HC256PIZ-12 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256PZ-12 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256PZ-15 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64JIZ-70 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
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參數(shù)描述
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