參數(shù)資料
型號(hào)： X28HC64JMB-70
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
中文描述： 8K X 8 EEPROM 5V, 70 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, LCC-32
文件頁(yè)數(shù)： 13/24頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： X28HC64JMB-70
X28HC64
13
WRITE CYCLE LIMITS
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
(1)
Max.
Units
t
WC(5)
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
t
OES
t
OEH
t
WP
t
WPH(6)
t
DV(6)
t
DS
t
DH
t
DW(6)
t
BLC
Write Cycle Time
Address Setup Time
Address Hold Time
Write Setup Time
Write Hold Time
CE
Pulse Width
OE
HIGH Setup Time
OE
HIGH Hold Time
WE
Pulse Width
WE
HIGH Recovery
Data Valid
Data Setup
Data Hold
Delay to Next Write
Byte Load Cycle
2
5
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μ
s
ns
ns
μ
s
μ
s
3857 PGM T11.2
0
50
0
0
50
0
0
50
50
1
50
0
10
0.15
100
WE
Controlled Write Cycle
3857 FHD F06
Notes:
(5) t
WC
is the minimum cycle time to be allowed from the system perspective unless polling techniques are used. It is the maximum
time the device requires to automatically complete the internal write operation.
(6) t
WPH
and t
DW
are periodically sampled and not 100% tested.
ADDRESS
tAS
tWC
tAH
tOES
tDV
tDS
tDH
tOEH
CE
WE
OE
DATA IN
DATA OUT
HIGH Z
DATA VALID
tCS
tCH
tWP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
X28HC64JMB-90 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64KI-12 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64KI-70 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64KI-90 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC64KM-12 5 Volt, Byte Alterable EEPROM
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參數(shù)描述
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