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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XC2V250-6CSG144C |
| 廠商： | Xilinx Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 245/318頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA VIRTEX-II 250K 144-CSBGA |
| 產(chǎn)品變化通告： | FPGA Family Discontinuation 18/Apr/2011 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 198 |
| 系列： | Virtex®-II |
| LAB/CLB數(shù)： | 384 |
| RAM 位總計(jì)： | 442368 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 92 |
| 門數(shù)： | 250000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 144-TFBGA，CSPBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 144-LCSBGA（12x12） |
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Virtex-II Platform FPGAs: Functional Description
R
DS031-2 (v3.5) November 5, 2007
Module 2 of 4
Product Specification
24
3.
“NO_CHANGE”
The “NO_CHANGE” option maintains the content of the
output registers, regardless of the write operation. The
clock edge during the write mode has no effect on the
content of the data output register DO. When the port is
configured as “NO_CHANGE”, only a read operation
loads a new value in the output register DO, as shown in
Control Pins and Attributes
Virtex-II SelectRAM memory has two independent ports
with the control signals described in Table 17. All control
inputs including the clock have an optional inversion.
Initial memory content is determined by the INIT_xx
attributes. Separate attributes determine the output register
value after device configuration (INIT) and SSR is asserted
(SRVAL). Both attributes (INIT_B and SRVAL) are available
for each port when a block SelectRAM resource is config-
ured as dual-port RAM.
Locations
Virtex-II SelectRAM memory blocks are located in either
four or six columns. The number of blocks per column
depends of the device array size and is equivalent to the
number of CLBs in a column divided by four. Column loca-
tions are shown in Table 18.
Figure 33: NO_CHANGE Mode
Table 17: Control Functions
Control Signal
Function
CLK
Read and Write Clock
EN
Enable affects Read, Write, Set, Reset
WE
Write Enable
SSR
Set DO register to SRVAL (attribute)
CLK
WE
Data_in
New
aa
Last Read Cycle Content (no change)
Address
Internal
Memory
DO
No change during write
Data_out
DI
DS031_12_102000
RAM Contents
New
Old
Table 18: SelectRAM Memory Floor Plan
Device
Columns
SelectRAM Blocks
Per Column
Total
XC2V40
2
4
XC2V80
2
4
8
XC2V250
4
6
24
XC2V500
4
8
32
XC2V1000
4
10
40
XC2V1500
4
12
48
XC2V2000
4
14
56
XC2V3000
6
16
96
XC2V4000
6
20
120
XC2V6000
6
24
144
XC2V8000
6
28
168
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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