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參數資料
| 型號： | XC61CN1002LB |
| 廠商： | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. |
| 英文描述： | Low Voltage Detectors |
| 中文描述： | 低電壓檢測器 |
| 文件頁數： | 9/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 904K |
| 代理商： | XC61CN1002LB |
9/19
XC61C
Series
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
V
DF(T)
=0.8V~1.5V *1
V
DF(T)
=1.6V~6.0V *2
MIN.
V
DF(T)
x 0.98
V
DF(T)
x 0.99
V
DF
x 0.02
-
-
-
-
-
0.7
0.7
0.10
0.85
-
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
-
-
TYP.
MAX.
V
DF(T)
x 1.02
V
DF(T)
x 1.01
V
DF
x 0.08
2.3
2.7
3.0
3.2
3.6
6.0
10.0
-
-
-1.5
-
-
-
-
-
-2.0
-
100
UNITS
CIRCUITS
V
DF(T)
V
1
Detect Voltage
V
DF
V
DF(T)
=2.6V~5.0V *2
V
DF(T)
V
1
Hysteresis Range
V
HYS
V
DF
x 0.05
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
-
-
0.80
2.70
-7.5
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
-10.0
10
10
V
1
V
IN
= 1.5V
V
IN
= 2.0V
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
Supply Current
I
SS
μ
A
2
Operating Voltage *1
Operating Voltage *2
V
DF(T)
= 0.8V to 1.5V
V
DF(T)
= 1.6V to 6.0V
V
IN
V
1
V
IN
= 0.7V
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 6.0V
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 2.0V
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
V
IN
= 8.0V
CMOS
N-ch V
DS
= 0.5V
3
Output Current *1
CMOS, P-ch V
DS
= 2.1V
4
N-ch V
DS
= 0.5V
3
Output Current *2
I
OUT
CMOS, P-ch V
DS
= 2.1V
V
IN
=6.0V, V
OUT
=6.0V*1
V
IN
=10.0V, V
OUT
=10.0V*2
N-ch Open Drain
mA
4
Leak Current
I
leak
nA
3
Temperature
Characteristics
Delay Time
(V
DR
→
V
OUT
inversion)
Δ
V
DF
Δ
Topr
V
DF
-40
℃
≦
Topr
≦
85
℃
-
±
100
-
ppm/
℃
-
tDLY
Inverts from V
DR
to V
OUT
-
0.03
0.20
ms
5
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
DF (T)
= 0.8V to 6.0V ± 2%
V
DF (T)
= 2.6V to 5.0V ± 1%
NOTE:
*1: Low Voltage: V
DF(T)
=0.8V~1.5V
*2: Standard Voltage: V
DF(T)
=1.6V~6.0V
V
DF
(T)
: Setting detect voltage
Release Voltage: V
DR
= V
DF
+ V
HYS
Ta=25
℃
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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