參數(shù)資料
型號(hào)： XN04506
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-74
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 20V的五（巴西）總裁| 300mA的一（c）|律師- 74
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： XN04506
XN04503
2
SJJ00077BED
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
0
0
2.0
0.4
0.8
1.6
1.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
20 mA
12 mA
10 mA
8 mA
6 mA
4 mA
2 mA
114 mA
18 mA
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
C
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
B
B
Collector current I
C
(A)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
0
600
500
400
300
200
100
0.1
1
10
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=
2 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
240
200
160
120
80
40
1
10
100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
f
=
100 MHz
T
a
=
25
°
C
1
0
24
20
16
12
8
4
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN04506(XN4506) Composite Device - Composite Transistors
XN04509(XN4509) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04501(XN4501) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04503(XN4503) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04504(XN4504) Composite Device - Composite Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN04506(XN4506) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
XN0450600L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XN04509 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor
XN04509(XN4509) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
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