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參數(shù)資料
| 型號： | XN04683 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | XN04683 |
Composite Transistors
XN04601
(XN4601)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: February 2004
SJJ00083BED
For general amplification
■
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SD0601A (2SD601A)
+
2SB0709A (2SB709A)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 5C
Internal Connection
Tr2
Tr1
5
4
3
2
1
6
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
60
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
I
CP
V
CBO
100
mA
Peak collector current
200
60
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
100
200
mA
Peak collector current
I
CP
P
T
mA
Overall
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Unit: mm
1: Collector (Tr1)
2: Base (Tr2)
3: Emitter (Tr2)
EIAJ: SC-74
4: Collector (Tr2)
5: Base (Tr1)
6: Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
2.90
1.9
±
(0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
0.30
+0.10
0.50
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN4683 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04609(XN4609) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
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| XN04601(XN4601) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| XN05501 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification |
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