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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN06213(XN6213) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | XN06213(XN6213) |
XN06211
2
SJJ00100BED
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
V
IN
I
O
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
000.5 mA
00.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN06214(XN6214) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN06215(XN6215) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN06216(XN6216) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01110 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP1110 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN06214 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN06214(XN6214) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN06215 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN06215(XN6215) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors |
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