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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XP01116(XP1116) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | XP01116(XP1116) |
XP01110
2
SJJ00122BED
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
V
IN
I
O
0
160
40
120
80
0
250
100
200
50
150
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 0.5 mA
0.4 mA
0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
0.2 V
T
a
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP01117(XP1117) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01118(XP1118) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01119 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-353 |
| XP0111H(XP111H) | Composite Device - Composite Transistors |
| XP01110(XP1110) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XP01117 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP01117(XP1117) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP01118 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-353 |
| XP01118(XP1118) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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