參數(shù)資料
型號(hào)： XP06216
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： XP06216
1
Publication date: June 2003
SJJ00205BED
Composite Transistors
XP06210
(XP6210)
Silicon NPN epitaxial planar type
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
0.01
mA
Forward current transfer ratio
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
Output voltage high-level
V
OH
V
OL
4.9
V
Output voltage low-level
0.2
V
Input resistance
R
1
30%
47
+
30%
k
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
For switching/digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR2210 (UN2210)
×
2
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Internal Connection
Marking Symbol: CR
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
50
V
Collector current
100
mA
Total power dissipation
P
T
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Unit: mm
5
10
2
±
0
1
±
0
1
3
2
0.2
±
0.05
0.12
+0.05
0
±
0
(
1.3
±
0.1
2.0
±
0.1
0
0
±
0
0
+
–
6
5
4
(0.65) (0.65)
1: Emitter (Tr1)
2: Emitter (Tr2)
3: Base (Tr2)
EIAJ : SC-88
4: Collector (Tr2)
5: Base (Tr1)
6: Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XP6216 Composite Device - Composite Transistors
XP06210(XP6210) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XP06211(XP6211) Composite Device - Composite Transistors
XP06213(XP6213) Composite Device - Composite Transistors
XP06216(XP6216) 複合デバイス － 複合トランジスタ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XP06216(XP6216) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
XP0621600L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES SMINI6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
XP06401 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
XP06401(XP6401) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*