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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XP133A0245SR |
| 廠商： | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. |
| 英文描述： | N-Channel Power MOS FET |
| 中文描述： | N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | XP133A0245SR |
776
11
DC Characteristics
PARAMETER
Drain Cut-off Current
Ta=25
°
C
UNITS
μ
A
Gate-Source Cut-off Voltage
Vgs(off)
0.5
V
1.2
0.045
0.06
0.1
Id=3A, Vgs=2.5V
Id=1A, Vgs=1.5V
Gate-Source Leakage Current
Igss
μ
A
±
1
Forward Transfer Admittance
(note)
12
S
Body Drain Diode
Forward Voltage
0.85
1.1
V
Idss
10
Vf
Vds=20V, Vgs=0V
Vgs=
±
8V, Vds=0V
Id=1mA, Vds=10V
Id=3A, Vgs=4.5V
Id=3A, Vds=10V
If=5A, Vgs=0V
Drain-Source On-state
Resistance (note)
Rds(on)
0.047
0.078
0.035
SYMBOL
CONDITIONS
MAX
MIN
TYP
PARAMETER
Input Capacitance
UNITS
pF
Feedback Capacitance
Crss
pF
Output Capacitance
Coss
pF
Ciss
150
460
880
Vds=10V, Vgs=0V
f=1MHz
SYMBOL
CONDITIONS
MAX
MIN
TYP
Dynamic Characteristics
Ta=25
°
C
Effective during pulse test.
Note:
Yfs
PARAMETER
Turn-on Delay Time
UNITS
ns
Fall Time
tf
ns
Rise Time
Turn-off Delay Time
tr
ns
ns
td (on)
10
td (off)
65
15
10
Vgs=5V, Id=3A
Vdd=10V
SYMBOL
CONDITIONS
MAX
MIN
TYP
Switching Characteristics
Ta=25
°
C
PARAMETER
Thermal Resistance
(channel-ambience)
UNITS
Rth (ch-a)
62.5
C/W
Implement on a glass epoxy
resin PCB
SYMBOL
CONDITIONS
MAX
MIN
TYP
Thermal Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP134A02A1SR | P-Channel Power MOS FET |
| XQ1000-BD | 5.5-6.5 GHz GaAs MMIC Voltage Controlled Oscillator |
| XQ1000-BD-000V | 5.5-6.5 GHz GaAs MMIC Voltage Controlled Oscillator |
| XQ1000-BD-EV1 | 5.5-6.5 GHz GaAs MMIC Voltage Controlled Oscillator |
| XQ1001-BD | 5.8-6.9 GHz GaAs MMIC Voltage Controlled Oscillator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| XP133A1145SR_1 | 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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| XP133A1330SR_1 | 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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