參數(shù)資料
型號(hào)： XP152A11E5MR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： Power MOS FET
中文描述： 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 52K
代理商： XP152A11E5MR
u
Electrical Characteristics
DC characteristics
Ta=25
°
C
UNITS
μ
A
μ
A
V
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
- 10
Drain Cut-off Current
Gate-Source Leakage Current
Gate-Source Cut-off Voltage
Idss
Igss
Vds = - 30 , Vgs = 0V
Vgs =
±
20 , Vds = 0V
Id = -1mA , Vds = - 10V
±
10
- 3.0
Vgs (off )
- 1.0
Drain-Source On-state Resistance
( note )
Id = - 0.4A , Vgs = - 10V
Id = - 0.4A , Vgs = - 4.5V
0.2
0.35
0.25
0.45
Forward Transfer Admittance
( note )
Body Drain Diode
Forward Voltage
( note ) : Effective during pulse test.
Dynamic characteristics
Ta=25
°
C
UNITS
pF
pF
pF
PARAMETER
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
SYMBOL
Ciss
Coss
Crss
CONDITIONS
MIN
TYP
160
120
50
MAX
Vds = - 10V , Vgs = 0V
f = 1 MHz
Switching characteristics
Ta=25
°
C
UNITS
ns
ns
ns
ns
PARAMETER
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
td ( on )
CONDITIONS
MIN
TYP
10
25
25
40
MAX
tr
Vgs = - 5V , Id = - 0.4A
Vdd = - 10V
td ( off )
tf
Thermal characteristics
PARAMETER
Thermal Resistance
( channel - surroundings )
SYMBOL
CONDITIONS
Implement on a ceramic
MIN
TYP
MAX
UNITS
PCB
°
C / W
250
Rth ( ch - a )
Vf
If = - 0.7A , Vgs = 0V
V
-0.8
- 1.1
Id = - 0.4A , Vds = - 10V
| Yfs |
Rds ( on )
S
1
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