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參數(shù)資料
| 型號： | YG812S04R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | SC-67, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | YG812S04R |
2
3
YG812S04R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Sine wave λ=180°
Square wave λ=60°
Square wave λ=120°
Square wave λ=180°
Per 1element
DC
Forward Power Dissipation (max.)
W
F
Fo
rw
ar
d
Po
w
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
IO Average Forward Current (A)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
8
10
α
Reverse Power Dissipation (max.)
=180°
DC
PR
R
ev
er
se
Po
w
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
VR Reverse Voltage (V)
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Forward Characteristic (typ.)
IF
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
(A
)
VF Forward Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Reverse Characteristic (typ.)
Tj=150°C
IR
R
ev
er
se
C
ur
re
nt
(m
A)
VR Reverse Voltage (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG831C03R | MAX 7000 CPLD 256 MC 100-FBGA |
| YG831C03R | 2.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG831C03R | 6 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG832C03R | 12 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG832C04R | MAX 7000 CPLD 256 MC 208-RQFP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG812S04RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| YG831C03R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG831C04R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG832C03R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG832C03RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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