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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | YG864S06R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 551K |
| 代理商： | YG864S06R |
2
3
YG864S06R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
W
F
or
wa
r
d
Po
w
er
D
i
ss
ip
a
ti
on
（
W）
IF(AV)
Average Output Current
（A）
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
Reverse Power Dissipation (max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
R
ev
er
s
e
P
o
we
r
Di
ss
i
pa
t
io
n
（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
n
t
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage
（Ｖ）
0
10
20
30
40
50
60
70
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
e
ve
rs
e
C
ur
re
n
t
（
ｍ
Ａ
）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG865C06R | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG865C10R | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG865C12R | 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C12R | 30 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C15R | 30 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG865C04R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG865C06R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG865C06RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| YG865C08R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG865C10R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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