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參數(shù)資料
| 型號： | YG869C04R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | YG869C04R |
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YG869C04R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
4
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8
10
12
14
16
18
20
22
0
2
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8
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12
14
16
18
20
22
24
26
Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
Ｗ
Ｆ
Fo
r
w
ar
d
Po
w
e
r
D
i
ss
i
p
at
i
o
n
（
Ｗ
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0.0
0.5
1.0
1.5
Reverse Power Dissipation (max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
Re
v
er
s
e
P
ow
e
r
Di
s
si
p
at
i
on
（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
10
20
30
40
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
e
ve
rs
e
C
u
rr
en
t
（
u
A）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
F
or
w
ar
d
C
ur
r
en
t
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage
（Ｖ）
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG869C08R | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG869C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG869C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG872C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG869C06R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C08R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C10R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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