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參數(shù)資料
| 型號： | YG869C10R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | YG869C10R |
4
YG869C10R
5
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
Sine wave λ=180°
Square wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
λ
:Conduction angle of forward current for each rectifier element
Io:Output current of center-tap full wave connection
DC
Current Derating (Io-Tc) (max.)
Tc
C
as
e
Te
m
pe
ra
tu
re
(°
C
)
Io Average Output Current (A)
λ
360°
I0
VR=50V
0
1
0
1
10
100
1000
Surge Capability (max.)
IF
S
M
P
ea
k
H
al
f-
W
av
e
C
ur
re
nt
(A
)
Number of Cycles at 50Hz
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
jJ
uncti
on
C
apacit
an
ce
(p
F)
VR Reverse Voltage (V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG869C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG872C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG878C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG869C12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG869C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG875C10R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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