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參數(shù)資料
| 型號： | YG869C15R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 528K |
| 代理商： | YG869C15R |
4
YG869C15R
5
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
Square wave λ=60°
Square wave λ=120°
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Tc
C
as
e
Te
m
pe
ra
tu
re
(°
C
)
Io Average Output Current (A)
λ
:Conduction angle of forward current for each rectifier element
Io:Output current of center-tap full wave connection
DC
Current Derating (Io-Tc) (max.)
λ
360°
I0
VR=75V
0
1
0
1
10
100
1000
Surge Capability (max.)
IF
S
M
Pe
ak
H
al
f-
W
av
e
C
ur
re
nt
(A
)
Number of Cycles at 50Hz
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
j
Ju
nc
tio
n
C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F)
VR Reverse Voltage (V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG872C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG878C10R | 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG878C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG875C10R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C20R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG878C10R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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