參數(shù)資料
型號(hào): ZC835A
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES
中文描述: 68 pF, 25 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 19K
代理商: ZC835A
SOT23 SILICON VARIABLE
CAPACITANCE DIODES
ISSUE 5 – J ANUARY 1998
FEATURES
*
Close Tolerance C-V Characteristics
*
High Tuning Ratio
*
Low I
R
Enabling Excellent Phase Noise Performance
(I
R
Typically <200pA at 25V)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
MAX
UNIT
Forward Current
I
F
P
tot
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
330
mW
Operating and S torage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNIT
CONDITIONS
Reverse Breakdown
Voltage
V
BR
25
V
I
R
=10
μ
A
Reverse Voltage Leakage
I
R
η
0.2
10
nA
V
R
=20V
V
R
=3V, f=1MHz
Temperature Coefficient
of Capacitance
0.03
0.04
%/°C
TUNING CHARACTERISTICS (at T
amb
=25°C)
Nominal Capacitance (pF)
PART NO
V
R
=2V, f=1MHz
Minimum
Q
@ V
=3V
f=50MHz
Capacitance Ratio
C
/ C
at f=1MHz
MIN
NOM
MAX
MIN
MAX
ZC830A
9.0
10.0
11.0
300
4.5
6.0
ZC831A
13.5
15.0
16.5
300
4.5
6.0
ZC832A
19.8
22.0
24.2
200
5.0
6.5
ZC833A
29.7
33.0
36.3
200
5.0
6.5
ZC834A
42.3
47.0
51.7
200
5.0
6.5
ZC835A
61.2
68.0
74.8
100
5.0
6.5
ZC836A
90.0
100.0
110.0
100
5.0
6.5
Note:
No suffix
±
20% (e.g. ZC830), suffix B
±
5% (e.g. ZC830B)
Spice parameter data is available upon request for this device
ZC830/A/B
to
ZC836/A/B
1
3
2
SOT23
1
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZC835B SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES
ZC830A SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES
ZC830ATA SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES
ZC830B SOT23 SILICON VARIABLE CAPACITANCE DIODES
ZC830BTA SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES
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參數(shù)描述
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