參數(shù)資料
型號(hào)： ZDM4206
廠(chǎng)商： Zetex Semiconductor
英文描述： DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE AVALANCHE RATED MOSFET
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET的額定雪崩
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： ZDM4206
TYPICAL CHARACTERISTICS
Output Characteristics
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
Saturation Characteristics
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
0
4
2
6
10
8
8V
7V
6V
5V
4V
4V
3.5V
V
GS=
20V
16V
12V
4V
4V
3.5V
8V
5V
4.5V
6V
12V
14V
0
4
2
6
10
8
D
-
D
-
10V
9V
14V
10V
9V
7V
V
GS=
20V
16V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV
DSS
60
V
I
D
=1mA, V
GS
=0V
Gate-Source Threshold Voltage
V
GS(th)
1.3
3
V
I
D
=1mA, V
DS
= V
GS
Gate-Body Leakage
I
GSS
100
nA
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
10
100
μ
A
μ
A
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0V, T=125°C
(2)
On-State Drain Current(1)
I
D(on)
3
A
V
DS
=25V, V
GS
=10V
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
R
DS(on)
1
1.5
V
GS
=10V,I
=1.5A
V
GS
=5V,I
D
=0.5A
Forward Transconductance(1)(2)
g
fs
300
mS
V
DS
=25V,I
D
=1.5A
Input Capacitance (2)
C
iss
100
pF
Common Source Output
Capacitance (2)
C
oss
60
pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V, f=1MHz
Reverse Transfer Capacitance (2)
C
rss
20
pF
Turn-On Delay Time (2)(3)
t
d(on)
8
ns
V
DD
≈
25V, I
D
=1.5A,V
GEN
=10V
Rise Time (2)(3)
t
r
12
ns
Turn-Off Delay Time (2)(3)
t
d(off)
12
ns
Fall Time (2)(3)
t
f
15
ns
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50
source impedance and <5ns rise time on a pulse
generator
ZDM4206N
3 - 318
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PDF描述
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ZDM4306N DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS
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