參數(shù)資料
型號(hào)： ZDT649
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DUAL NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： 2 A, 25 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SM-8, 8 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： ZDT649
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
35
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
25
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cutoff
Current
I
CBO
0.1
10
μ
A
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V,
T
amb
=100°C
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.12
0.23
0.3
0.5
V
V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=2A, I
B
=200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
1.25
V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.8
1
V
I
C
=1A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
75
15
200
200
150
50
300
I
C
=50mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=6A, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
150
240
MHz
I
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
25
50
pF
V
CB
=10V f=1MHz
Switching Times
t
on
55
ns
I
C
=500mA, V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=50mA
t
off
300
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZDT649
3 - 334
3 - 335
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ZDT649TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZDT651 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZDT651TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZDT651TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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