參數(shù)資料
型號： ZDT6705
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 1 A, 120 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SM-8, 8 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： ZDT6705
PNP TRANSISTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-140
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(SUS)
-120
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cutoff
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
V
CB
=-120V
V
CB
=-120V,
T
amb
=100°C
Collector-Emitter
Cutoff Current
I
CES
-10
μ
A
V
CES
=-80V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-8V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-1.3
-2.5
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-1mA*
I
C
=-2A, I
B
=-2mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.8
V
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.7
V
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
3K
3K
3K
2K
30K
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
Transition Frequency
f
T
160
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=20MHz
Input Capacitance
C
ibo
90
pF
V
EB
=-0.5V, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CE
=-10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
0.6
μ
s
I
C
=-0.5A, V
=-10V
I
B1
=I
B2
=-0.5mA
t
off
0.8
μ
s
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see ZDT705 datasheet.
ZDT6705
3 - 371
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ZDT6718TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP Darl 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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