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參數(shù)資料
| 型號： | ZHB6718 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE |
| 中文描述： | 2.5 A, 20 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SM-8, 8 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 193K |
| 代理商： | ZHB6718 |
PNP TRANSISTORS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C ).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-20
-65
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-20
-55
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
-8.8
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
nA
V
CB
=-15V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector Emitter Cut-Off
Current
I
CES
-100
nA
V
CES
=-15V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-16
-130
-190
-40
-200
-260
mV
mV
mV
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-20mA*
I
C
=-2.5A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.98
-1.1
V
I
C
=-2.5A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
0.85
V
I
C
=-2.5A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer
Ratio
h
FE
300
300
150
35
475
450
230
70
30
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
Transition
Frequency
f
T
150
180
MHz
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
21
30
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
40
ns
V
CC
=-10V, I
C
=-1A
I
B1
=I
B2
=-20mA
Turn-Off Time
t
(off)
670
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%.
ZHB6718
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZHB6790 | BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE |
| ZHB6792 | BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE |
| ZHCS1000 | SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT” |
| ZHCS1006 | SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT” |
| ZHCS2000 | 40V SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZHB6718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE |
| ZHB6718TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-Bridge-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZHB6718TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-Bridge-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZHB6790 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE |
| ZHB6790 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE |
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