參數(shù)資料
型號： ZTX1048
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅平面中功率高增益晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 105K
代理商： ZTX1048
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX1048A
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
50
85
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CES
50
85
V
IC=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO
17.5
24
V
IC=10mA
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEV
50
85
V
IC=100
μ
A, V
EB
=1V
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
8.7
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.3
10
nA
V
CB
=35V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.3
10
nA
V
EB
=4V
Collector Emitter Cut-Off
Current
I
CES
0.3
10
nA
VCES=35V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
27
55
110
210
45
75
150
245
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.5A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=2A, I
B
=10mA*
I
C
=4A, I
B
=20mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
860
950
mV
I
C
=4A, I
B
=20mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
860
950
mV
IC=4A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
280
300
300
220
50
440
450
450
330
80
1200
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=0.5A, V
CE
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=4A, V
CE
=2V*
I
C
=20A, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
150
MHz
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
60
80
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
130
ns
I
C
=4A, I
B
=40mA, V
CC
=10V
t
off
180
ns
I
C
=4A, I
B
=
±
40mA, V
CC
=10V
ZTX1048A
3-337
3-338
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PDF描述
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ZTX1048ASTOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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