參數(shù)資料
型號： ZTX1051
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： MICRO POWER HALL EFFECT W/TIN PLATING
中文描述： NPN硅平面中功率高增益晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 109K
代理商： ZTX1051
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
150
190
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CES
150
190
V
IC=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO
40
60
V
IC=10mA
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEV
150
190
V
IC=100
μ
A, V
EB
=1V
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
8.8
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.3
10
nA
V
CB
=120V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.3
10
nA
V
EB
=4V
Collector Emitter Cut-Off
Current
I
CES
0.3
10
nA
VCES=120V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
17
75
165
25
110
210
mV
mV
mV
I
C
=0.2A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=4A, I
B
=100mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
920
1000
mV
I
C
=4A, I
B
=100mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
825
950
mV
IC=4A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
290
300
190
45
440
450
310
70
1200
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=4A, V
CE
=2V*
I
C
=10A, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
155
MHz
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
27
40
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
100
ns
I
C
=4A, I
B
=40mA, V
CC
=10V
t
off
300
ns
I
C
=4A, I
B
=
±
40mA, V
CC
=10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZTX1051A
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