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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX457 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | ZTX457 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 1994
FEATURES
*
300 Volt V
CEO
*
0.5 Amp continuous current
*
P
tot
= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
300
V
Collector-Emitter Voltage
300
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1
A
Continuous Collector Current
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
300
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(sus)
300
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
10
nA
μ
A
V
CB
=200V
V
CB
=200V, T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
100
nA
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.3
V
I
C
=100mA, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1
V
I
C
=100mA, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Turn On Voltage
V
BE(on)
1
V
IC=100mA, V
CE
=10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
25
300
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=50mA, V
CE
=10V*
I
C
=100mA, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
75
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=20MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
3-181
ZTX457
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX458 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| ZTX500 | PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ZTX458 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE |
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