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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX657DB |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁|芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | ZTX657DB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX657DC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX754DA | TRANSISTOR | BJT | PNP | 125V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX754DB | TRANSISTOR | BJT | PNP | 125V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX754DC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 125V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX755DA | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX657DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX657M1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO |
| ZTX657STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX657STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX657STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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