參數(shù)資料
型號： ZTX753DCSM
英文描述： PNP Dual Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package For High Reliability Application(Vcbo:-120V,Vceo:-100V,Vebo:-5V)(雙PNP晶體管（高可靠性、氣密陶瓷表貼封裝,Vcbo:-120V,Vceo:-100V,Vebo:-5V))
中文描述： 進步黨雙晶體管在一個密封陶瓷表面貼裝封裝，高可靠性的應用（Vcbo：- 120伏特，Vceo：- 100V的，Vebo：- 5V的）（雙進步黨晶體管（高可靠性，氣密陶瓷表貼封裝，Vcbo： - 120伏特，Vceo：- 100V的，Vebo：- 5V的））
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 17K
代理商： ZTX753DCSM
相關PDF資料
PDF描述
ZUMT618TA Transient Voltage Suppressor Diodes
ZUMT619TA Transient Voltage Suppressor Diodes
ZUP6-33 Zero-up CV/CC 200 ~ 800W
ZVN0540B Transient Voltage Suppressor Diodes
ZVN0535A Transient Voltage Suppressor Diodes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX753M1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO
ZTX753STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX753STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX753STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX754 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。