參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX757M1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 300V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|蘇
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： ZTX757M1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX755M1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO
ZTX753M1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO
ZTX753DC TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX753DB TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX753DA TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX757STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX757STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX757STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX758 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX758 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP E-LINE
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