參數(shù)資料
型號(hào)： ZX5T853GTC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 126K
代理商： ZX5T853GTC
ZX5T853G
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
200
235
V
I
C
=100 A
I
C
=1 A, RB
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=150V
V
CB
=150V,T
amb
=100 C
V
CB
=150V
V
CB
=150V,T
amb
=100 C
V
EB
=6V
I
C
=0.1A, I
B
=5mA*
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=2A, I
B
=100mA*
I
C
=5A, I
B
=500mA*
I
C
=5A, I
B
=500mA*
I
C
=5A, V
CE
=2V*
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=5A, V
CE
=2V*
I
C
=10A, V
CE
=2V*
MHz I
C
=100mA, V
CE
=10V
f=50MHz
Collector-emitter breakdown voltage
200
235
V
1k
Collector-emitter breakdown voltage
100
115
V
Emitter-base breakdown voltage
7
8.1
V
Collector cut-off current
20
0.5
nA
A
Collector cut-off current
I
CER
R
1k
20
0.5
nA
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
CE(S AT)
10
nA
Collector-emitter saturation voltage
21
50
95
180
35
65
125
220
mV
mV
mV
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(S AT)
V
BE(ON)
H
FE
1020
1120
mV
Base-emitter turn-on voltage
920
1000
mV
Static forward current transfer ratio
100
100
30
10
230
200
60
20
300
Transition frequency
f
T
130
Output capacitance
C
OBO
t
ON
t
OFF
26
pF
V
CB
=10V, f=1MHz*
I
C
=1A, V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
Switching times
41
1010
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ZX5T869GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:25V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
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