參數(shù)資料
型號： ZX5T853Z
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
中文描述： 100V的npn型低飽和中功率晶體管SOT89
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： ZX5T853Z
ZX5T853Z
ISSUE 1 - DECEMBER 2004
2
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Collector base voltage
BV
CBO
200
V
Collector emitter voltage
BV
CEO
100
V
Emitter base voltage
BV
EBO
7
V
Continuous collector current
(a)
I
C
4.5
A
Peak pulse current
I
CM
10
A
Power dissipation at T
A
=25°C
(a)
Linear derating factor
P
D
1.5
12
W
mW/°C
Power dissipation at TA=25°C
(b)
Linear derating factor
PD
2.1
16.8
W
mW/°C
Operating and storage temperature range
T
j
, T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
J unction to ambient
(a)
R
J A
83
°C/W
J unction to ambient
(b)
R
J A
60
°C/W
NOTES:
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
(b)For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
THERMAL RESISTANCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ZX5T951GTA 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
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參數(shù)描述
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ZX5T869GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:25V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
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