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參數(shù)資料
| 型號： | ZX5T953G |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | 100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| 中文描述： | 100V的進步黨中功率低飽和晶體管采用SOT223 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | ZX5T953G |
ZX5T953G
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZX5T955G | 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| ZX5T955GTA | 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| ZX5T955GTC | 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
| ZX60-2510M | High Isolation Amplifiers 50з, 0.5 to 5.9 GHz |
| ZX60-2514M | High Isolation Amplifiers 50з, 0.5 to 5.9 GHz |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZX5T953GTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZX5T953GTC | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN |
| ZX5T953Z | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 |
| ZX5T953ZTA | 功能描述:TRANSISTOR PNP 3.5A 100V SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| ZX5T955G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 |
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