參數(shù)資料
型號： ZX5T953GTC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： ZX5T953GTC
ZX5T953G
S E M IC O N D U C T O R S
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
BV
CBO
BV
CER
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
-140
-160
V
I
C
=-100 A
I
C
=-1 A, RB
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-100V
V
CB
=-100V,T
amb
=100 C
V
CB
=-100V
V
CB
=-100V,T
amb
=100 C
V
EB
=-6V
I
C
=-0.1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-4A, I
B
=-400mA*
I
C
=-4A, I
B
=-400mA*
I
C
=-4A, V
CE
=-2V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-1A, V
CE
=-1V*
I
C
=-3A, V
CE
=-1V*
I
C
=-4A, V
CE
=-1V*
I
C
=-10A, V
CE
=-1V*
MHz I
C
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Collector-emitter breakdown voltage
-140
-160
V
1k
Collector-emitter breakdown voltage
-100
-115
V
Emitter-base breakdown voltage
-7
-8.1
V
Collector cut-off current
1
-20
-0.5
nA
A
Collector cut-off current
I
CER
R
1k
1
-20
-0.5
nA
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
CE(S AT)
1
-10
nA
Collector-emitter saturation voltage
-20
-70
-120
-240
-30
-90
-150
-340
mV
mV
mV
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE(S AT)
V
BE(ON)
H
FE
-985
-1100
mV
Base-emitter turn-on voltage
-920
-1050
mV
Static forward current transfer ratio
100
100
25
15
250
200
50
30
5
300
Transition frequency
f
T
125
Output capacitance
C
OBO
t
ON
t
OFF
42
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz*
I
C
=-1A, V
CC
=-10V,
I
B1
=I
B2
=-100mA
Switching times
42
540
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
* Measured under pulsed conditions. Pulse width
300 s; duty cycle
2%.
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PDF描述
ZX5T953GTA 100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
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ZX5T955GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 140V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZX5T955GTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 140V 4A 4-PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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