參數(shù)資料
型號: ZXMC3A16DN8TA
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N+P 30V 5.4A 8SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
標準包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.9A,4.1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 796pF @ 25V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMC3A16DN8DKR