參數(shù)資料
型號(hào): ZXMHC3F381N8TC
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 5/11頁(yè)
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描述: MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道(H 橋式)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.98A,3.36A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫歐 @ 5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 430pF @ 15V
功率 - 最大: 870mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMHC3F381N8DIDKR