型號: |
ZXMHC6A07N8TC |
廠商: |
Diodes Inc |
文件頁數(shù): |
6/11頁 |
文件大?。?/td>
| 0K |
描述: |
MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
1 |
FET 型: |
2 個 N 通道和 2 個 P 通道(H 橋式)
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FET 特點: |
邏輯電平門
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漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
1.39A,1.28A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
250 毫歐 @ 1.8A,10V
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Id 時的 Vgs(th)(最大): |
3V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
3.2nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
166pF @ 40V
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功率 - 最大: |
870mW
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOP
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包裝: |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁面: |
1474 (CN2011-ZH PDF)
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其它名稱: |
ZXMHC6A07N8DIDKR
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