| 型號： | ZXMHC6A07T8TA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋式） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.6A，1.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫歐 @ 1.8A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-223-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SM8 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMHC6A07T8DKR |