參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN10A07F
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 100V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 971K
代理商： ZXMN10A07F
ZXMN10A07F
ISSUE 1 - MARCH 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
100
V
ID=250 A, VGS=0V
VDS=60V, VGS=0V
VGS=
±
20V, VDS=0V
ID=250 A, VDS= VGS
VGS=10V, ID=1.5A
VGS=6V, ID=1A
VDS=15V,ID=1A
Zero Gate Voltage Drain Current
1
A
Gate-Body Leakage
100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
2.0
4.0
V
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
1
1.1
Forward Transconductance (3)
gfs
1.6
S
DYNAMIC
(3)
Input Capacitance
Ciss
Coss
Crss
138
pF
VDS=60 V, VGS=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
12
pF
Reverse Transfer Capacitance
6
pF
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
1.8
ns
VDD=50V, ID=1A
RG=6.0 , VGS=10V
Rise Time
1.5
ns
Turn-Off Delay Time
4.1
ns
Fall Time
2.1
ns
Total Gate Charge
2.9
nC
VDS=50V,VGS=10V,
I
D
=1.0A
Gate-Source Charge
0.7
nC
Gate-Drain Charge
1
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
VSD
0.95
V
TJ=25°C, IS=1.5A,
VGS=0V
TJ=25°C, IF=1.8A,
di/dt= 100A/
μ
s
Reverse Recovery Time (3)
trr
Qrr
27
ns
Reverse Recovery Charge (3)
12
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at TA = 25°C unless otherwise stated)
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
≤
300
μ
s. Duty cycle
≤
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN10A07FTA 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A07FTC 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A07Z 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN10A07ZTA TV 6C 6#20 SKT PLUG RECP
ZXMN10A08E6TA 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN10A07F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23
ZXMN10A07FTA 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN10A07FTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:ZXMN10A07F Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -SOT-223
ZXMN10A07FTC 功能描述:MOSFET 100V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN10A07Z 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*