| 型號： | ZXMN2A02N8TA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫歐 @ 11A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 18.9nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產品目錄頁面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMN2A02N8DKR |