參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN2A03E6TA
廠(chǎng)商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： ZXMN2A03E6TA
PROVISIONAL ISSUE C - NOVEMBER 2001
ZXMN2A03E6
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
20
V
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
1
μ
A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
Gate-Body Leakage
I
GSS
100
nA
V
GS
=
±
12V, V
DS
=0V
Gate-Source Threshold Voltage
V
GS(th)
0.7
V
I
D
=250
μ
A, V
DS
= V
GS
V
GS
=4.5V, I
D
=7.2A
V
GS
=2.5V, I
D
=3.6A
Static Drain-Source On-State Resistance
(1)
R
DS(on)
0.055
0.100
Forward Transconductance (1)(3)
g
fs
12
S
V
DS
=10V,I
D
=7.2A
DYNAMIC
(3)
Input Capacitance
C
iss
823
pF
V
=15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
C
oss
159
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
93
pF
SWITCHING
(2) (3)
Turn-On Delay Time
t
d(on)
4.3
ns
V
DD
=10V, I
D
=3.5A
R
G
=6.0
, V
GS
=5V
Rise Time
t
r
8.0
ns
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
17.7
ns
Fall Time
t
f
10.0
ns
Total Gate Charge
Q
g
8.6
nC
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,
I
D
=3.5A
Gate-Source Charge
Q
gs
1.9
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
2.5
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V
SD
0.85
0.95
V
T
J
=25°C, I
S
=4.2A,
V
GS
=0V
Reverse Recovery Time (3)
t
rr
14.2
ns
T
=25°C, I
=3.5A,
di/dt= 100A/
μ
s
Reverse Recovery Charge (3)
Q
rr
7.2
nC
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
≤
300
μ
s. Duty cycle
≤
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN2A03E6TC 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8 DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A04DN8TA DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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ZXMN2A14F 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN2A03E6TC 功能描述:MOSFET 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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