參數(shù)資料
型號(hào): ZXMN3A04KTC
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
其它圖紙: D-PAK
D-PAK Pin Out
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 12A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 15V
功率 - 最大: 2.15W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMN3A04KTCDKR