參數(shù)資料
型號: ZXMN3AMCTA
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 7/8頁
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描述: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫歐 @ 2.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 8-DFN(3x2)
包裝: 標準包裝
其它名稱: ZXMN3AMCTADKR