參數(shù)資料
型號: ZXMN6A08E6TC
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 1/8頁
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描述: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
標準包裝: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 4.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 459pF @ 40V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-6
包裝: 帶卷 (TR)