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參數資料
| 型號： | ZXMN6A09DN8 |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 中文描述： | 雙60V的N溝道增強型MOS管 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 694K |
| 代理商： | ZXMN6A09DN8 |
PROVISIONAL ISSUE D - AUGUST 2001
ZXMN6A09DN8
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A09DN8TA | DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A09DN8TC | DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A09G | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A09GTA | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN6A09GTC | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZXMN6A09DN8(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| ZXMN6A09DN8 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N DUAL SO-8 |
| ZXMN6A09DN8_07 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN6A09DN8TA | 功能描述:MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN6A09DN8TC | 功能描述:MOSFET 60V N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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