參數(shù)資料
型號： ZXTCM322TC
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 4A條一（c）| LLCC
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 178K
代理商： ZXTCM322TC
ZXTCM322
ISSUE 2 - JUNE 2002
3
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
0
25
50
Temperature(°C)
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
1m
10m 100m
PulseWidth(s)
1
10
100
1k
20
40
60
80
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
100us
100ms
1s
V
Limited
1ms
SafeOperatingArea
SinglePulse, T
amb
=25°C
DC
10ms
I
C
C
V
CE
Collector-EmitterVoltage(V)
1ozCu
Note: a
2ozCu
Note: e
DeratingCurve
T
amb
=25°C
M
D=0.2
D=0.5
D=0.1
TransientThermalImpedance
SinglePulse
D=0.05
T
ThermalResistancevBoardArea
1ozcopper
2ozcopper
T
BoardCuArea(sqcm)
1ozcopper
2ozcopper
PowerDissipationvBoardArea
T
amb
=25°C
T
=150°C
Continuous
P
D
D
BoardCuArea(sqcm)
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTD3M832
ZXTDBM832
ZXTDBM832TA TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDBM832TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
ZXTDCM832TC TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTD09N50DE6 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXTD09N50DE6TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTD09N50DE6TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTD1M832 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPSTM Miniature Package Power Solutions DUAL 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXTD1M832TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V PNP 3x2 MLP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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