參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTN25012EFL
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 12V, SOT23, NPN low power transistor
中文描述： 12V的，SOT23封裝，低功耗晶體管叩
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 478K
代理商： ZXTN25012EFL
ZXTN25012EFL
Issue 2 - January 2007
Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com
Electrical characteristics (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown
voltage
Collector-emitter breakdown
voltage
Emitter-base breakdown
voltage
Emitter-collector breakdown
voltage (reverse blocking)
BV
CBO
20
40
V
I
C
= 100 A
BV
CEO
12
17
V
I
C
= 10mA
(*)
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width 300 s; duty cycle 2%.
BV
EBO
7
8.3
V
I
E
= 100 A
BV
ECX
6
8
V
I
E
= 100 A, R
BC
1k or
0.25v > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
Emitter-collector breakdown
voltage (base open)
Collector cut-off current
BV
ECO
4.5
5.5
V
I
CBO
<1
50
nA
V
CB
= 16V
V
CB
= 16V, T
amb
= 100°C
V
EB
= 5.6V
20
A
Emitter-base cut-off current
I
EBO
V
CE(sat)
<1
50
nA
Collector-emitter saturation
voltage
50
65
mV
I
C
= 1A, I
B
= 100mA
(*)
70
85
mV
I
C
= 1A, I
B
= 10mA
(*)
105
130
mV
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
(*)
235
300
mV
I
C
= 5A, I
B
= 100mA
(*)
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
V
BE(sat)
830
950
mV
I
C
= 2A, I
B
= 40mA
(*)
V
BE(on)
745
850
mV
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
(*)
Static forward current transfer
ratio
h
FE
500
800
1500
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V
(*)
500
700
I
C
= 1A, V
CE
= 2V
(*)
370
575
I
C
= 2A, V
CE
= 2V
(*)
210
335
I
C
= 5A, V
CE
= 2V
(*)
30
55
I
C
= 15A, V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 50mA, V
CE
= 10V
f = 100MHz
Transition frequency
f
T
260
MHz
Output capacitance
C
obo
25
35
pF
V
CB
= 10V, f
= 1MHz
(*)
V
CC
= 10V
I
C
= 1A,
I
B1
= I
B2
= 10mA
Delay time
t
(d)
t
(r)
t
(s)
t
(f)
71
ns
Rise time
70
ns
Storage time
233
ns
Fall time
72
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTN25012EFLTA 12V, SOT23, NPN low power transistor
ZXTN25015DFH 15V, NPN medium power transistor
ZXTN25015DFHTA 15V, NPN medium power transistor
ZXTN25020BFH 20V, SOT23, NPN medium power transistor
ZXTN25020BFHTA 20V, SOT23, NPN medium power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTN25012EFLT 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 12V, 5A, 350mW, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency Typ ft:260MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:800; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes
ZXTN25012EFLTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V HG Trans. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25012EZ 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:12V NPN high gain transistor
ZXTN25012EZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V HIGH GAIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTN25015DFH 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:15V, NPN medium power transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*